XIV Ежегодный международный симпозиум Нанофизика и наноэлектроника-2010 г. Нижний Новгород (15-19 марта 2010 года)

Управление длиной волны излучения квантовых ям InGaAs/GaAs и лазерных структур на их основе с помощью протонного облучения

С. А. Ахлестина, В. К. Васильев, О. В. Вихрова, Ю. А. Данилов, Б. Н. Звонков, С. М. Некоркин

Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, г. Нижний Новгород

Аннотация: Исследованы особенности управления длиной волны излучения лазерных гетероструктур с напряженными квантовыми ямами InGaAs/GaAs посредством облучения протонами средних энергий (до 150 кэВ). Установлено, что облучение ионами H$^+$ и последующий термический отжиг при температуре 700$^\circ$C позволяют уменьшить длину волны излучения квантовых ям. С ростом дозы ионов от 10$^{13}$ до 10$^{16}$ см$^{-2}$ величина изменения длины волны увеличивается до 20 нм. При этом начиная с дозы 10$^{15}$ см$^{-2}$ наблюдается значительное уменьшение интенсивности излучения. Определены оптимальные дозы ионов H$^+$ (6 $\cdot$ 10$^{14}$ см$^{-2}$) и температура отжига (700$^\circ$C) для модифицирования лазерных структур InGaAs/GaAs/InGaP и показано, что в этом случае можно получить сдвиг $\sim$8–10 нм длины волны лазерного излучения с малыми потерями интенсивности при сохранении качества поверхности лазерных структур. Наблюдаемый “синий” сдвиг обусловлен стимулированными имплантацией процессами перемешивания атомов Ga и In на границах раздела InGaAs/GaAs.

Поступила в редакцию: 08.04.2010
Принята в печать: 15.04.2010

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2010, 44:11, 1446–1449

Реферативные базы данных:

•