XIV Ежегодный международный симпозиум Нанофизика и наноэлектроника-2010 г. Нижний Новгород (15-19 марта 2010 года)

Полоса и потери преобразования полупроводникового смесителя с фононным каналом охлаждения двумерных электронов

Е. Л. Шангина^a, К. В. Смирнов^a, Д. В. Морозов^a, В. В. Ковалюк^a, Г. Н. Гольцман^a, А. А. Веревкин^ab, А. И. Торопов<sup>c

a</sup> Московский педагогический государственный университет
^b Университет Ратгерс, 08854 Нью Джерси, США
^c Институт физики полупроводников Сибирского отделения Российской академии наук, 630090 Новосибирск, Россия

Аннотация: Методом субмиллиметровой спектроскопии с высоким временны́м разрешением измерены температурная и концентрационная зависимости полосы преобразования смесителей терагерцового диапазона AlGaAs/GaAs на разогреве двумерных электронов с фононным каналом их охлаждения. Полоса преобразования на уровне 3 дБ $(f_{3\mathrm{dB}})$ при 4.2 K при изменении концентрации ns варьируется в пределах 150–250 МГц в соответствии со степенным законом $f_{3\mathrm{dB}}\propto n_s^{-0.5}$, что соответствует доминирующему механизму рассеяния на пьезоэлектрических фононах. Минимальное значение коэффициента потерь преобразования полупроводникового смесителя достигается в структурах с высокой подвижностью носителей $\mu>$ 3 $\cdot$ 10$^5$ см$^2$/В $\cdot$ с при 4.2 K.

Поступила в редакцию: 08.04.2010
Принята в печать: 26.04.2010

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2010, 44:11, 1427–1429

Реферативные базы данных:

•