RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2010, том 44, выпуск 11, страницы 1470–1474 (Mi phts8970)

Эта публикация цитируется в 10 статьях

XIV Ежегодный международный симпозиум Нанофизика и наноэлектроника-2010 г. Нижний Новгород (15-19 марта 2010 года)

Одномодовые лазеры с вертикальным резонатором для миниатюрного атомного эталона частоты на основе атомов $^{87}$Rb

И. А. Деребезов, В. А. Гайслер, А. К. Бакаров, А. К. Калагин, А. И. Торопов, М. М. Качанова, Т. А. Гаврилова, О. И. Семенова, Д. Б. Третьяков, И. И. Бетеров, В. М. Энтин, И. И. Рябцев

Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, г. Новосибирск

Аннотация: Представлены результаты численного моделирования и исследования генерационных характеристик полупроводниковых лазеров с вертикальным резонатором на основе твердых растворов Al$_x$Ga$_{1-x}$As. Лазеры демонстрируют устойчивый одномодовый режим генерации на длине волны 795 нм при малых рабочих токах $\sim$1.5 мА и выходной мощности 350 мкВт, что открывает перспективы их использования в миниатюрных атомных эталонах частоты нового поколения.

Поступила в редакцию: 08.04.2010
Принята в печать: 13.04.2010


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2010, 44:11, 1422–1426

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2026