Эта публикация цитируется в 1 статье

XIV Ежегодный международный симпозиум Нанофизика и наноэлектроника-2010 г. Нижний Новгород (15-19 марта 2010 года)

Миграция возбужденных носителей в ансамблях нанокристаллов кремния, легированных фосфором

В. А. Беляков, А. А. Конаков, В. А. Бурдов

Национальный исследовательский Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского

Аннотация: Выполнен расчет скороcти туннельной миграции возбужденных носителей (электронов и дырок) в ансамбле нанокристаллов кремния, легированных фосфором. Показано, что, начиная с некоторых значений концентрации фосфора, зависящих от соотношения между размерами эмиттирующего и принимающего нанокристаллов, скорость туннелирования электронов резко падает (на несколько порядков) и становится меньше скорости излучательной межзонной рекомбинации.

Поступила в редакцию: 08.04.2010
Принята в печать: 12.04.2010

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2010, 44:11, 1418–1421

Реферативные базы данных:

•