Эта публикация цитируется в 54 статьях

XIV Ежегодный международный симпозиум Нанофизика и наноэлектроника-2010 г. Нижний Новгород (15-19 марта 2010 года)

Трансформация плазмонного спектра в транзисторной структуре с решеточным затвором и пространственно-модулированным двумерным электронным каналом

Д. В. Фатеев^a, В. В. Попов^a, M. S. Shur<sup>b

a</sup> Саратовский филиал Института радиотехники и электроники им. В. А. Котельникова РАН
^b Department of Electrical, Computer, and System Engineering and Center for Integrated Electronics, CII9015, Rensselaer Polytechnic Institute, Troy, 12180 New York, USA

Аннотация: Построена теория возбуждения плазмонных резонансов в транзисторной структуре с решеточным затвором и 2D электронным каналом с пространственно-модулированной электронной плотностью. Исследована трансформация спектра плазмонов при изменении величины пространственной модуляции электронной плотности в канале транзисторной структуры. Найдены условия преимущественного возбуждения подзатворных или межконтактных плазмонов и исследовано взаимодействие различных плазмонных мод в терагерцовом частотном диапазоне. Показано, что интенсивность возбуждения подзатворных плазмонных резонансов в транзисторной структуре с решеточным затвором значительно возрастает благодаря конструктивной роли межконтактных участков электронного канала. Ширина линии плазмонных резонансов в транзисторной структуре с решеточным затвором оказывается сравнимой с вкладом, определяемым электронным рассеянием в канале транзисторной структуры.

Поступила в редакцию: 13.04.2010
Принята в печать: 13.04.2010

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2010, 44:11, 1406–1413

Реферативные базы данных:

•