Л. Е. Воробьев, М. Я. Винниченко, Д. А. Фирсов, В. Л. Зерова, В. Ю. Паневин, А. Н. Софронов, П. Тхумронгсилапа, В. М. Устинов, А. Е. Жуков, А. П. Васильев, L. Shterengas, G. Kipshidze, T. Hosoda, G. Belenky, “Разогрев носителей заряда в квантовых ямах при оптической и токовой инжекции электронно-дырочных пар”, Физика и техника полупроводников, 2010, том 44, выпуск 11,страницы 1451

Эта публикация цитируется в 11 статьях

XIV Ежегодный международный симпозиум Нанофизика и наноэлектроника-2010 г. Нижний Новгород (15-19 марта 2010 года)

Разогрев носителей заряда в квантовых ямах при оптической и токовой инжекции электронно-дырочных пар

Л. Е. Воробьев^a, М. Я. Винниченко^a, Д. А. Фирсов^a, В. Л. Зерова^a, В. Ю. Паневин^a, А. Н. Софронов^a, П. Тхумронгсилапа^a, В. М. Устинов^b, А. Е. Жуков^c, А. П. Васильев^b, L. Shterengas^d, G. Kipshidze^d, T. Hosoda^d, G. Belenky^d

^a Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, 195251 Санкт-Петербург, Россия
^b Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
^c Санкт-Петербургский академический университет — научно-образовательный центр нанотехнологий РАН (Академический университет)
^d Department of Electrical and Computer Engineering, State University of New York at Stony Brook, 11794 New York, USA

Аннотация: Исследован разогрев носителей заряда в квантовых ямах GaAs/AlGaAs при оптической межзонной накачке в режиме спонтанного излучения. Определена электронная температура как функция интенсивности накачки. Исследовано влияние электрического поля на спектр фотолюминесценции. По спектрам электролюминесценции определено изменение концентрации носителей заряда с током накачки в режимах спонтанного и стимулированного излучения в квантовых ямах InGaAsSb/InAlGaAsSb. Проведены оценки увеличения температуры горячих носителей заряда, вызывающего рост концентрации с током накачки.

Поступила в редакцию: 08.04.2010
Принята в печать: 12.04.2010