Эта публикация цитируется в 1 статье

XIV Ежегодный международный симпозиум Нанофизика и наноэлектроника-2010 г. Нижний Новгород (15-19 марта 2010 года)

Электролюминесценция квантово-размерных гетероструктур InGaAs/GaAs с ферромагнитными инжекторами вида (A$^{\mathrm{III}}$, Mn)B$^{\mathrm{V}}$ и Ni

М. М. Прокофьева^a, М. В. Дорохин^b, Ю. А. Данилов^b, А. В. Кудрин^b, О. В. Вихрова<sup>b

a</sup> Национальный исследовательский Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского
^b Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, г. Нижний Новгород

Аннотация: Проведено сравнительное исследование электролюминесцентных характеристик светоизлучающих диодов на основе гетероструктур с InGaAs/GaAs-квантовой ямой и инжекторным слоем, выполненным в виде ферромагнитного металла (Ni), полуметаллического соединения (MnSb) или магнитного полупроводника (InMnAs). Общей особенностью является гашение электролюминесценции при уменьшении толщины спейсерного слоя между квантовой ямой и магнитным инжектором. Обнаружено, что температурная зависимость электролюминесценции в диодах с Ni и MnSb обусловлена термическим выбросом носителей из квантовой ямы, а в диодах с InMnAs - температурной зависимостью концентрации носителей в магнитном полупроводнике, а также термическим выбросом носителей из квантовой ямы в области высоких температур.

Поступила в редакцию: 08.04.2010
Принята в печать: 20.04.2010

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2010, 44:11, 1398–1401

Реферативные базы данных:

•