Эта публикация цитируется в 6 статьях

Изготовление, обработка, тестирование материалов и структур

Рекристаллизация с границы раздела кремний-сапфир как новый метод получения структурно совершенных пленок кремния на сапфировой подложке

П. А. Александров, К. Д. Демаков, С. Г. Шемардов, Ю. Ю. Кузнецов

Российский научный центр "Курчатовский институт", г. Москва

Аннотация: Использование процесса твердофазной рекристаллизации в значительной степени уменьшает количество дефектов в кремниевом слое. Аморфный слой создавался имплантацией ионов кремния. Кристаллическое качество КНС-структур оценивалось методом высокоразрешающей двухкристальной рентгеновской дифракции. Высококачественные кремниевые слои с толщиной $d$ = 1000–2500 $\mathring{\mathrm{A}}$ получались после имплантации ионов кремния (с энергией 150 кэВ) и последующего высокотемпературного отжига.

Поступила в редакцию: 01.03.2010
Принята в печать: 15.03.2010

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2010, 44:10, 1386–1388

Реферативные базы данных:

•