Эта публикация цитируется в 12 статьях

Изготовление, обработка, тестирование материалов и структур

Зависимость скорости роста слоя AlN от давления азота в реакторе для выращивания кристаллов AlN методом сублимации

А. А. Вольфсон, Е. Н. Мохов

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург

Аннотация: В данной работе, посвященной исследованию условий получения толстых слоев и объемных кристаллов AlN сублимационным сэндвич-методом, изучалась зависимость скорости роста слоя от величины давления азота в реакторе. Было установлено, что скорость роста слоя монотонно возрастает по мере снижения давления в реакторе в диапазоне 1–0.02 бар. Это позволяет утверждать, что определяющую роль в кинетике роста слоя играет процесс переноса компонентов (Al, N) от источника к подложке, а не процессы адсорбции (десорбции) на поверхности последних.

Поступила в редакцию: 08.04.2010
Принята в печать: 13.04.2010

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2010, 44:10, 1383–1385

Реферативные базы данных:

•