Эта публикация цитируется в 18 статьях

Физика полупроводниковых приборов

Напряжение холостого хода, фактор заполнения и коэффициент полезного действия CdS/CdTe-солнечного элемента

Л. А. Косяченко, Е. В. Грушко

Черновицкий национальный университет, 58012 Черновцы, Украина

Аннотация: Исследована зависимость напряжения холостого хода, фактора заполнения и коэффициента полезного действия тонкопленочного CdS/CdTe-солнечного элемента от удельного сопротивления $\rho$ и времени жизни носителей заряда $\tau$ в поглощающем CdTe-слое. В распространенном случае, когда концентрация некомпенсированных акцепторов и время жизни электронов в CdTe-слое находятся в пределах соответственно 10$^{15}$–10$^{16}$ см$^{-3}$ и 10$^{-10}$–10$^{-9}$ с, результаты расчета соответствуют достигнутой эффективности лучших тонкопленочных CdS/CdTe-солнечных элементов. Показано, что, уменьшая $\rho$ и увеличивая $\tau$ в поглощающем CdTe-слое, можно заметно повысить напряжение холостого хода, фактор заполнения и коэффициент полезного действия, приблизив их значения к теоретическому пределу для такого типа устройств.

Поступила в редакцию: 19.04.2010
Принята в печать: 26.04.2010

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2010, 44:10, 1375–1382

Реферативные базы данных:

•