Эта публикация цитируется в 7 статьях

Физика полупроводниковых приборов

Температурная зависимость пороговой плотности тока и внешней дифференциальной квантовой эффективности в полупроводниковых лазерах ($\lambda$ = 900–920 нм)

М. А. Ладугин^a, А. В. Лютецкий^b, А. А. Мармалюк^a, А. А. Падалица^a, Н. А. Пихтин^b, А. А. Подоскин^b, Н. А. Рудова^b, С. О. Слипченко^b, И. С. Шашкин^b, А. Д. Бондарев^b, И. С. Тарасов<sup>b

a</sup> Научно-исследовательский институт "Полюс" им. М. Ф. Стельмаха, г. Москва
^b Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург

Аннотация: Исследованы температурные зависимости излучательных характеристик полупроводниковых лазеров на основе асимметричных гетероструктур раздельного ограничения с расширенным волноводом, изготовленных методом МОС-гидридной эпитаксии (длина волны излучения $\lambda$ = 900–920 нм). Установлено, что увеличение энергетической глубины и числа квантово-размерных ям активной области позволяет повысить температурную стабильность пороговой плотности тока и дифференциальной квантовой эффективности полупроводниковых лазеров на их основе. В лазерах на основе гетероструктуры с 4 квантово-размерными ямами достигается температурная стабильность пороговой плотности тока с характеристическим параметром $T_0$ = 290 K. Экспериментально показано, что стабилизация лазерных параметров достигается благодаря снижению пороговой плотности тока и пороговой концентрации носителей заряда в квантовых ямах активной области. Установлено, что при достижении некоторого значения концентрации носителей заряда в квантовых ямах активной области температурная стабильность пороговой плотности тока и дифференциальной квантовой эффективности резко снижается.

Поступила в редакцию: 05.04.2010
Принята в печать: 12.04.2010

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2010, 44:10, 1370–1374

Реферативные базы данных:

•