Эта публикация цитируется в 11 статьях

Физика полупроводниковых приборов

Температурная зависимость внутренних оптических потерь в полупроводниковых лазерах ($\lambda$ = 900–920 нм)

Н. А. Пихтин^a, С. О. Слипченко^a, И. С. Шашкин^a, М. А. Ладугин^b, А. А. Мармалюк^b, А. А. Подоскин^a, И. С. Тарасов<sup>a

a</sup> Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
^b Научно-исследовательский институт "Полюс" им. М. Ф. Стельмаха, г. Москва

Аннотация: Исследованы температурные зависимости излучательных характеристик полупроводниковых лазеров на основе асимметричных гетероструктур раздельного ограничения с расширенным волноводом, изготовленных методом МОС-гидридной эпитаксии (длина волны излучения $\lambda$ = 900–920 нм). Установлено, что в непрерывном режиме генерации с ростом тока накачки и температуры активной области растет пороговая концентрация в активной области и волноводных слоях лазерной гетероструктуры раздельного ограничения. Экспериментально установлено, что в диапазоне температур 20–140$^\circ$C величина стимулированного квантового выхода остается неизменной. Показано, что температурная делокализация носителей заряда ведет к росту концентрации носителей заряда в волноводных слоях лазерной гетероструктуры. Суммарный рост внутренних оптических потерь на рассеяние на свободных носителях заряда в слоях активной области и волноводных слоях лазерной гетероструктуры ведет к снижению дифференциальной квантовой эффективности и к насыщению ватт-амперной характеристики полупроводниковых лазеров в непрерывном режиме генерации.

Поступила в редакцию: 05.04.2010
Принята в печать: 12.04.2010

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2010, 44:10, 1365–1369

Реферативные базы данных:

•