Г. И. Айзенштат, А. Ю. Ющенко, С. М. Гущин, Д. В. Дмитриев, К. С. Журавлев, А. И. Торопов, “Рекомбинация носителей заряда в арсенид-галлиевом $p$–$i$–$n$-диоде”, Физика и техника полупроводников, 2010, том 44, выпуск 10,страницы 1407

Эта публикация цитируется в 1 статье

Физика полупроводниковых приборов

Рекомбинация носителей заряда в арсенид-галлиевом $p$–$i$–$n$-диоде

Г. И. Айзенштат^a, А. Ю. Ющенко^b, С. М. Гущин^c, Д. В. Дмитриев^d, К. С. Журавлев^d, А. И. Торопов^d

^a Томский государственный университет, 634034 Томск, Россия
^b Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники, 634034 Томск, Россия
^c Научно-исследовательский институт полупроводниковых приборов, 634034 Томск, Россия
^d Институт физики полупроводников Сибирского отделения Россйской академии наук, 630090 Новосибирск, Россия

Аннотация: Установлено, что в $p$–$i$–$n$-диодах на арсениде галлия при высоких плотностях прямого тока существенную роль играет излучательная рекомбинация носителей заряда. Экспериментально показано, что диоды, работающие в СВЧ интегральных схемах, интенсивно излучают свет в инфракрасном диапазоне с длинами волн от 890 до 910 нм. Полученные результаты указывают на необходимость учета особенностей процессов рекомбинации в арсенид-галлиевых СВЧ $p$–$i$–$n$-диодах.

Поступила в редакцию: 23.03.2010
Принята в печать: 30.03.2010