Эта публикация цитируется в 6 статьях

Физика полупроводниковых приборов

Пространственно-одномодовый полупроводниковый лазер на InAs/InGaAs-квантовых точках с дифракционным фильтром оптических мод

Н. Ю. Гордеев^ab, И. И. Новиков^ab, А. М. Кузнецов^b, Ю. М. Шерняков^ab, М. В. Максимов^ab, А. Е. Жуков^ab, А. В. Чунарева^ab, А. С. Паюсов^b, Д. А. Лившиц^c, А. Р. Ковш<sup>c

a</sup> Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
^b Санкт-Петербургский академический университет — научно-образовательный центр нанотехнологий РАН (Академический университет)
^c Innolume GmbH, 44263 Dortmund, Deutschland

Аннотация: Представлены результаты применения концепции дифракционного оптического фильтра для подавления генерации мод высокого порядка в полосковых лазерных диодах с активной областью на основе квантовых точек InAs/InGaAs, выращенных на подложке GaAs и излучающих в диапазоне длин волн 1.3 мкм. Использование фильтра позволило увеличить ширину полоска лазера и привело к увеличению выходной оптической мощности до 700 мВт при сохранении пространственно-одномодового режима излучения.

Поступила в редакцию: 23.03.2010
Принята в печать: 30.03.2010

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2010, 44:10, 1357–1361

Реферативные базы данных:

•