RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2010, том 44, выпуск 10, страницы 1394–1400 (Mi phts8955)

Эта публикация цитируется в 26 статьях

Аморфные, стеклообразные, пористые, органические, микрокристаллические полупроводники, полупроводниковые композиты

Структура и оптические свойства нанокристаллических пленок сульфида свинца

С. И. Садовников, Н. С. Кожевникова, А. А. Ремпель

Институт химии твердого тела УрО РАН, г. Екатеринбург

Аннотация: Методом рентгеновской дифракции изучена кристаллическая структура пленок сульфида свинца (PbS), полученных химическим осаждением на стеклянную подложку. Толщина синтезированных пленок $\sim$120 нм, размер областей когерентного рассеяния $\sim$(70–80) нм, величина микронапряжения $\sim$0.20%. Установлено, что синтезированные пленки PbS и те же пленки, отожженные в интервале температур 293–423 K, имеют кубическую (пр. гр. $Fm\bar3m$) кристаллическую структуру $D0_3$, отличающуюся от структуры $B1$, характерной для крупнозернистого PbS. В кубической структуре нанопленок PbS реализуется скрытое нестехиометрическое распределение атомов S и вакансий по октаэдрическим позициям 4$(b)$ и тетраэдрическим позициям 8$(c)$. В диапазоне длин волн 200–3270 нм измерено оптическое пропускание нанокристаллических пленок PbS. Наиболее заметное изменение пропускания наблюдается в области длин волн от 700–800 до 1600–2000 нм (энергии фотонов от $\sim$1.8 до $\sim$0.7 эВ). Установлено, что ширина запрещенной зоны составляет 0.83–0.85 эВ, т. е. больше ширины зоны монокристаллического PbS, равной 0.41 эВ.

Поступила в редакцию: 10.03.2010
Принята в печать: 19.03.2010


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2010, 44:10, 1349–1356

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2026