Эта публикация цитируется в 2 статьях

Низкоразмерные системы

Формирование композитных квантовых точек InGaN/ GaN/InAlN

А. Ф. Цацульников^ab, Е. Е. Заварин^ab, Н. В. Крыжановская^ab, В. В. Лундин^ab, А. В. Сахаров^ab, С. О. Усов^ab, П. Н. Брунков^a, В. В. Гончаров^a, Н. А. Черкашин^c, M. Hytch<sup>c

a</sup> Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
^b Научно-технологический центр микроэлектроники и субмикронных гетероструктур РАН, г. Санкт-Петербург
^c Center for Material Elaboration & Structural Studies (CEMES) of the National Center for Scientific Research (CNRS), 31055 Toulouse, France

Аннотация: Представлены результаты исследований формирования композитных квантовых точек InGaN/GaN/InAlN. Исследованы структурные свойства тонких слоев InAlN, заращённых GaN, и показано формирование в таких структурах трехмерных островков, имеющих латеральные размеры $\sim$(20–30) нм. Показано, что осаждение тонкого слоя InGaN на поверхность островков InAlN, заращённых тонким слоем GaN, приводит к трансформации непрерывного слоя InGaN в массив изолированных квантовых точек, имеющих латеральные размеры 20–30 нм и высоту 2–3 нм, положение которых в направлении роста коррелирует с положением островков InAlN.

Поступила в редакцию: 13.04.2010
Принята в печать: 23.04.2010

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2010, 44:10, 1338–1341

Реферативные базы данных:

•