RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2010, том 44, выпуск 10, страницы 1365–1371 (Mi phts8951)

Эта публикация цитируется в 2 статьях

Низкоразмерные системы

Моделирование времен релаксации и энергетического спектра квантовой ямы CdTe/Hg$_{1-x}$Cd$_x$Te/CdTe при варьировании разрыва валентных зон, ширины ямы и состава $x$

Е. А. Мележик, Ж. В. Гуменюк-Сычевская, Ф. Ф. Сизов

Институт физики полупроводников им. В. Е. Лашкарева НАН Украины, г. Киев

Аннотация: Смоделированы зависимости времен релаксации и энергетического спектра квантовой ямы CdTe/Hg$_{1-x}$Cd$_x$Te/CdTe от параметров такой квантовой ямы в интервале молярных долей кадмия (0 $<x<$ 0.16). Установлено, что изменение $x$ от 0 до 0.16 приводит к изменению локализации волновых функций электронов в квантовой яме. Получен критерий для определения количества интерфейсных уровней локализованных электронов в зависимости от параметров квантовой ямы. Выявлен эффект резкого (на 2 порядка) возрастания времени релаксации локализованных электронов при малых ширинах квантовых ям и значениях $x$, близких к 0.16.

Поступила в редакцию: 04.03.2010
Принята в печать: 07.04.2010


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2010, 44:10, 1321–1327

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2026