Эта публикация цитируется в 1 статье

Низкоразмерные системы

Квантовые ямы на гетеропереходах 3C-SiC/NH-SiC. Расчет спонтанной поляризации и напряженности поля в экспериментах

И. С. Сбруев, С. Б. Сбруев

Московский авиационный институт (государственный технический университет)

Аннотация: Пересмотрены результаты экспериментов с квантовыми ямами на гетеропереходах 3C-SiC/4H-SiC и 3C-SiC/6H-SiC, полученных различными способами. В рамках единой модели получены значения спонтанной поляризации, напряженности поля и энергий локальных уровней в квантовых ямах на гетеропереходах 3C-SiC/NH-SiC, согласующиеся с результатами всех рассмотренных экспериментов. Определены типы гетеропереходов. Представлены аппроксимация для разрывов валентных зон на гетеропереходах между политипами карбида кремния и выражение для вычисления локальных уровней в квантовых ямах на гетеропереходе 3C-SiC/NH-SiC. Вычислены значения спонтанной поляризации для 3C-SiC/4H-SiC – 0.71 Кл/м$^2$, для 3C-SiC/6H-SiC – 0.47 Кл/м$^2$ и напряженности поля, создаваемого спонтанной поляризацией на гетеропереходе 3C-SiC/4H-SiC и 3C-SiC/6H-SiC – 0.825 и 0.55 МВ/см соответственно.

Поступила в редакцию: 23.03.2010
Принята в печать: 07.04.2010

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2010, 44:10, 1313–1320

Реферативные базы данных:

•