Е. С. Шаталина, С. А. Блохин, А. М. Надточий, А. С. Паюсов, А. В. Савельев, М. В. Максимов, А. Е. Жуков, Н. Н. Леденцов, А. Р. Ковш, С. С. Михрин, В. М. Устинов, “Анализ механизмов эмиссии носителей в $p$–$i$–$n$-структурах с квантовыми точками In(Ga)As”, Физика и техника полупроводников, 2010, том 44, выпуск 10,страницы 1352

Эта публикация цитируется в 10 статьях

Низкоразмерные системы

Анализ механизмов эмиссии носителей в $p$–$i$–$n$-структурах с квантовыми точками In(Ga)As

Е. С. Шаталина^a, С. А. Блохин^ab, А. М. Надточий^ab, А. С. Паюсов^a, А. В. Савельев^a, М. В. Максимов^ab, А. Е. Жуков^a, Н. Н. Леденцов^b, А. Р. Ковш^c, С. С. Михрин^c, В. М. Устинов^b

^a Санкт-Петербургский академический университет — научно-образовательный центр нанотехнологий РАН (Академический университет)
^b Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
^c Innolume GmbH, 44263 Dortmund, Deutschland

Аннотация: С помощью спектроскопии фототока исследованы механизмы эмиссии носителей заряда с энергетических уровней квантовых точек (In,Ga)As/(Al,Ga)As различной конструкции. Показано, что для изолированных слоев квантовых точек, разделенных широкими спейсерными слоями (Al,Ga)As, основным механизмом эмиссии носителей из квантовых точек является термическая активация. При малой ширине спейсерного слоя (Al,Ga)As, когда происходит электронное связывание отдельных слоев квантовых точек в вертикальном направлении, возрастает роль туннельного механизма эмиссии носителей между вертикально связанными квантовыми точками.

Поступила в редакцию: 23.03.2010
Принята в печать: 30.03.2010