Низкоразмерные системы

Смешивание дырочных состояний в гетероструктурах GaAs/AlAs(110)

В. Н. Чернышов<sup>ab

a</sup> Сибирский физико-технический институт им. акад. В. Д. Кузнецова при Томском государственном университете
^b Томский политехнический университет

Аннотация: Рассмотрены состояния в квантовой яме AlAs/GaAs(12)/AlAs(110) и в сверхрешетке AlAs(6)/GaAs(12)(110). Для анализа смешивания состояний легких и тяжелых дырок в этих структурах предложена зависящая от параметра система базисных функций и найдены значения параметра, при которых одна из функций в основном описывает состояния тяжелых дырок, а другая – легких дырок. Для рассмотренного в работе интервала энергии найдено четыре энергетических уровня в данной яме и соответственно четыре мини-зоны в сверхрешетке. Анализ показал, что первый и четвертый уровни в яме и первая и четвертая мини-зоны в сверхрешетке в основном связаны с состояниями тяжелых дырок. Более сложную структуру имеют оставшиеся два состояния в квантовой яме и вторая и третья мини-зоны в сверхрешетке, для которых имеется заметное смешивание дырочных состояний. Для этих мини-зон имеется значительное как пространственное, так и спиновое разделение состояний.

Поступила в редакцию: 13.01.2010
Принята в печать: 03.03.2010

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2010, 44:10, 1301–1307

Реферативные базы данных:

•