Эта публикация цитируется в 2 статьях

Полупроводниковые структуры, границы раздела и поверхность

Дифференциальная емкость полупроводниковой пленки

Д. Е. Цуриков, А. М. Яфясов

Санкт-Петербургский государственный университет, физический факультет

Аннотация: В рамках феноменологической теории области пространственного заряда предложена быстрая схема вычисления поверхностной дифференциальной емкости полупроводниковой пленки в случае омического контакта на тыльной стороне. Метод расчета рассмотрен на примере полупроводника с параболическим законом дисперсии ($n$-Ge). Обнаружено не связанное с эффектами размерного квантования явление провала вольт-фарадной характеристики с уменьшением толщины полупроводника.

Поступила в редакцию: 23.03.2010
Принята в печать: 14.04.2010

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2010, 44:10, 1292–1296

Реферативные базы данных:

•