Физика полупроводниковых приборов

Быстродействующие токовые ключи на основе AlGaAs/GaAs-гетероструктур тиристоров с толстой $p$-базой (8 мкм)

С. О. Слипченко^a, А. А. Подоскин^a, И. В. Шушканов^a, М. И. Кондратов^a, А. Е. Гришин^a, А. Э. Ризаев^a, В. В. Шамахов^a, И. С. Шашкин^a, Д. Н. Николаев^a, Н. А. Пихтин^a, А. С. Башкатов^b, Т. А. Багаев^c, М. А. Ладугин^c, А. А. Мармалюк^c, В. А. Симаков<sup>c

a</sup> Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия
^b Всероссийский научно-исследовательский институт радиоэлектроники, 141002 Московская область, Мытищи, Россия
^c Научно-исследовательский институт "Полюс" им. М. Ф. Стельмаха, 117342 Москва, Россия

Аннотация: Разработаны AlGaAs/GaAs-гетероструктуры тиристоров с толстой $p$-базой (8 мкм) и созданы токовые ключи на их основе. В статическом режиме продемонстрировано максимальное блокируемое напряжение 120 В. Минимальные задержки включения достигали 7 нс при токе управления 220 мА. Продемонстрирована возможность генерации последовательности импульсов с частотой 20 кГц при рабочем напряжении 110 В и частотой 120 кГц при рабочем напряжении 30 В. Оценка динамических характеристик показывает возможность генерации импульсов тока с амплитудой 68 А и длительностью 2.9 нс.

Ключевые слова: гетероструктура, тиристор, быстродействующий токовый ключ, полупроводниковый лазер, короткий импульс.

Поступила в редакцию: 12.12.2025
Исправленный вариант: 22.12.2025
Принята в печать: 26.12.2025

DOI: 10.61011/FTP.2025.10.62344.8880