RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2025, том 59, выпуск 10, страницы 608–613 (Mi phts8942)

Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления

Лазерное излучение в мезаструктуре с квантовыми ямами на основе HgCdTe с периодической системой гребней

Е. Н. Кирьяноваab, В. В. Румянцевab, А. А. Разоваab, Д. В. Шенгуровa, Н. С. Гусевa, Е. Е. Морозоваa, В. В. Уточкинa, В. Р. Барышевc, А. А. Янцерa, К. А. Мажукинаa, М. А. Фадеевa, Н. С. Гинзбургc, А. М. Малкинc, Е. Д. Егороваc, Н. Н. Михайловd, С. А. Дворецкийd, В. И. Гавриленкоab, С. В. Морозовab

a Институт физики микроструктур РАН, 603950 Нижний Новгород, Россия
b Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского, 603950 Нижний Новгород, Россия
c Федеральный исследовательский центр Институт прикладной физики им. А.В. Гапонова-Грехова Российской академии наук, 603950 Нижний Новгород, Россия
d Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, г. Новосибирск

Аннотация: В волноводной структуре с квантовыми ямами на основе HgCdTe продемонстрирована одночастотная лазерная генерация на длине волны 13.5 мкм за счет формирования на поверхности структуры периодической системы гребней, реализующих распределенную обратную связь. Показано, что используемая технология ионного травления не приводит к увеличению пороговой мощности оптической накачки, которая не превышает 100 Вт/см$^2$ при $T<$ 20 K.

Ключевые слова: HgCdTe, мезаструктуры, распределенная обратная связь, одночастотный лазер.

Поступила в редакцию: 15.10.2025
Исправленный вариант: 03.12.2025
Принята в печать: 05.12.2025

DOI: 10.61011/FTP.2025.10.62342.8664



© МИАН, 2026