RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2010, том 44, выпуск 10, страницы 1332–1335 (Mi phts8939)

Эта публикация цитируется в 2 статьях

Электронные и оптические свойства полупроводников

Спонтанное излучение дырок, возбужденных электрическим полем в германии

Я. Е. Покровский, Н. А. Хвальковский

Институт радиотехники и электроники им. В. А. Котельникова РАН, Москва

Аннотация: Исследована зависимость интегральной интенсивности спонтанного излучения дырок в Ge с примесью Ga при возбуждении импульсным электрическим полем напряженностью $E$ до 3 кВ/см и одноосном сжатии кристаллов в направлениях [001] и [111] давлением $P$ до 12 кбар. Установлено, что интенсивность излучения в сильном электрическом поле определяется процессами возбуждения и релаксации легких дырок даже при $P$ = 0. Обнаружено, что существенный вклад в излучение дают горячие дырки с энергиями, значительно превышающими энергию оптического фонона в германии. Впервые получены и интерпретированы спектры спонтанного излучения горячих дырок в сильном электрическом поле. При $P$ = 0 и $E>$ 500 В/см энергия дырок не ограничена энергией оптического фонона, а спектр излучения дырок в области 45–85 мэВ имеет структуру, аналогичную спектру поглощения оптическими фононами. Это указывает на накопление горячих дырок при сильном взаимодействии с колебаниями кристаллической решетки Ge. Обсуждаются детали такого взаимодействия.

Поступила в редакцию: 23.03.2010
Принята в печать: 30.03.2010


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2010, 44:10, 1289–1291

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2026