Эта публикация цитируется в 4 статьях

Электронные и оптические свойства полупроводников

Повторение формы сверхбыстрой автомодуляции спектра поглощения света при изменении энергии импульса накачки GaAs

Н. Н. Агеева, И. Л. Броневой, Д. Н. Забегаев, А. Н. Кривоносов

Институт радиотехники и электроники им. В. А. Котельникова РАН, Москва

Аннотация: Сверхбыстрая автомодуляция фундаментального поглощения света возникает во время интенсивной пикосекундной оптической накачки GaAs и, по основному предположению, отображает автоколебания обеднения заселенностей электронов в зоне проводимости. В настоящей работе дается количественно подтвержденное объяснение экспериментально обнаруженному ранее циклическому повторению формы сверхбыстрой автомодуляции спектра поглощения при изменении энергии импульса накачки и фиксированной задержке между накачкой и зондированием (измерением поглощения). Повторение формы объясняется изменением фазы автоколебаний поглощения света. Объяснение основано на ранее экспериментально обнаруженной зависимости частоты автоколебаний поглощения от энергии накачки. Поэтому оно также является и новым подтверждением указанной зависимости (удовлетворительно совпадающей с аналогичной расчетной зависимостью частоты автоколебаний обеднения заселенностей).

Поступила в редакцию: 10.03.2010
Принята в печать: 07.04.2010

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2010, 44:10, 1285–1288

Реферативные базы данных:

•