RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2010, том 44, выпуск 10, страницы 1323–1327 (Mi phts8937)

Эта публикация цитируется в 5 статьях

Электронные и оптические свойства полупроводников

О механизме рассеяния носителей заряда в Ag$_2$Se

М. Б. Джафаров

Азербайджанский государственный аграрный университет, AZ-2000 Гянджа, Азербайджан

Аннотация: Проведено исследование электрических и термоэлектрических свойств селенида серебра в интервале температур 4.2–300 K. Полученные данные интерпретированы в рамках теории с одним типом носителей и кейновским законом дисперсии с учетом характера межэлектронного взаимодействия. Установлено, что для концентраций $n\le$ 7.8 $\cdot$ 10$^{18}$ см$^{-3}$ носители заряда при $T\le$ 30 K рассеиваются на ионах примесей, а при $T\ge$ 30 K на акустических и оптических колебаниях решетки и точечных дефектах. Показано, что при $T<$ 30 K межэлектронные взаимодействия носят упругий характер.

Поступила в редакцию: 01.10.2009
Принята в печать: 07.04.2010


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2010, 44:10, 1280–1284

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2026