Электронные и оптические свойства полупроводников

Явления переноса тепла в сплавах Bi$_{1-x}$Sb$_x$

С. А. Алиев, Р. И. Селим-заде, С. С. Рагимов

Институт физики им. Г.М. Абдуллаева Национальной академии наук Азербайджана, AZ-1143, Баку, Азербайджан

Аннотация: Исследована фононная теплопроводность $k_{\mathrm{ph}}$ в сплавах Bi$_{1-x}$Sb$_x$ ($x$ = 0.02–0.12) в области температур 6–60 K. Результаты сопоставлены с теорией для твердых тел при низких температурах, выявлены основные источники рассеяния фононов. Показано, что рассеяние фононов на локальных изменениях масс превалирует над другими источниками. При температурах 60 и 90 K рассмотрены зависимости $k_{\mathrm{ph}}$ от состава, выявлено, что в этих условиях нормальные $N$-процессы оказывают существенное влияние на рассеяние фононов. Рассмотрено влияние донорных примесей на теплопроводность Bi$_{0.88}$Sb$_{0.12}$, выделено теплосопротивление, обусловленное рассеянием фононов примесными центрами. Исследована фононная теплопроводность $k_{\mathrm{ph}}$ в сплавах Bi$_{1-x}$Sb$_x$ ($x$ = 0.02–0.12) в области температур 6–60 K. Результаты сопоставлены с теорией для твердых тел при низких температурах, выявлены основные источники рассеяния фононов. Показано, что рассеяние фононов на локальных изменениях масс превалирует над другими источниками. При температурах 60 и 90 K рассмотрены зависимости $k_{\mathrm{ph}}$ от состава, выявлено, что в этих условиях нормальные $N$-процессы оказывают существенное влияние на рассеяние фононов. Рассмотрено влияние донорных примесей на теплопроводность Bi$_{0.88}$Sb$_{0.12}$, выделено теплосопротивление, обусловленное рассеянием фононов примесными центрами.

Поступила в редакцию: 03.03.2010
Принята в печать: 07.04.2010

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2010, 44:10, 1275–1279

Реферативные базы данных:

•