Эта публикация цитируется в 8 статьях

Электронные и оптические свойства полупроводников

Особенности междолинного рассеяния носителей тока в $n$-Si при высоких температурах

А. В. Федосов^a, С. В. Лунёв^b, С. А. Федосов<sup>c

a</sup> Луцкий национальный технический университет
^b Луцкий государственный технический университет
^c Восточноевропейский национальный университет имени Леси Украинки

Аннотация: В $n$-Si возможно междолинное рассеяние электронов двух типов: $g$-рассеяние и $f$-рассеяние. С целью установления вклада $f$- и $g$-переходов в междолинное рассеяние исследовано пьезосопротивление кристаллов $n$-Si с исходной концентрацией носителей тока 1.1 $\cdot$ 10$^{14}$ см$^{-3}$ и удельным сопротивлением при 300 K $\rho$ = 30 Ом $\cdot$ см в температурном интервале $T$ = 295–363 K. Насыщение пьезосопротивления с увеличением температуры смещается в область меньших напряжений. Характерной особенностью зависимости $\rho=\rho(T)$ в координатах $\operatorname{lg}\rho=f(\operatorname{lg}T)$ является переход от наклона 1.68 к 1.83 при $T>$ 330 K, что объясняется активным вкладом $g$-переходов в междолинное рассеяние в области высоких температур. Для проверки правильности объяснения зависимости $\rho=\rho(T)$ проведен ее расчет на основе теории анизотропного рассеяния с учетом междолинных переходов.

Поступила в редакцию: 17.02.2010
Принята в печать: 15.03.2010

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2010, 44:10, 1263–1265

Реферативные базы данных:

•