Эта публикация цитируется в 1 статье

Атомная структура и неэлектронные свойства полупроводников

О мезоскопической дисперсии длин пробегов дислокаций в полупроводниковых кристаллах

Б. В. Петухов

Институт кристаллографии им. А. В. Шубникова РАН, г. Москва

Аннотация: Показано, что экспериментально обнаруженная большая величина дисперсии длин пробегов дислокаций и затягивание ее выхода на стационарное значение в полупроводниковых материалах может объясняться стохастичностью процесса рождения дислокационных перегибов (кинков). Эта стохастичность приводит к развитию шероховатости линии дислокации, описываемой скейлинговыми соотношениями, включающими в себя мезоскопические временные и пространственные масштабы.

Поступила в редакцию: 04.03.2010
Принята в печать: 15.03.2010

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2010, 44:10, 1258–1262

Реферативные базы данных:

•