Эта публикация цитируется в 1 статье

Физика полупроводниковых приборов

Моделирование проводимости $a$-Si : H тонкопленочного транзистора с барьерами Шоттки

А. В. Вишняков, М. Д. Ефремов

Институт физики полупроводников Сибирского отделения Российской академии наук, 630090 Новосибирск, Россия

Аннотация: Численным моделированием показано, что сток-истоковые контакты Шоттки существенно определяют проводимость тонкопленочного транзистора в надпороговой области. При высоте барьера больше 0.75 эВ проявляется эффект сгущения, причиной которого является увеличение электрического поля на краю истокового электрода при росте тянущего напряжения, что приводит к локальному понижению барьера и росту тока через обратно смещенный барьер Шоттки. Эффективная подвижность тонкопленочного транзистора в области насыщения определяется пленкой и от высоты барьера не зависит.

Поступила в редакцию: 11.09.2009
Принята в печать: 03.03.2010

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2010, 44:9, 1249–1252

Реферативные базы данных:

•