RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2010, том 44, выпуск 9, страницы 1284–1289 (Mi phts8930)

Эта публикация цитируется в 6 статьях

Физика полупроводниковых приборов

Газовый термофотоэлектрический генератор на основе металлических эмиттеров и GaSb-элементов

А. С. Власов, В. П. Хвостиков, С. В. Сорокина, Н. А. Потапович, В. С. Калиновский, Е. П. Ракова, В. М. Андреев, А. В. Бобыль, Г. Ф. Терещенко

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург

Аннотация: Разработана и испытана модель компактного термофотоэлектрического генератора с пропановой горелкой (давление 2 бара) и металлическим сетчатым эмиттером. Изготовлен фотогенерирующий модуль, использующий 24 (1 $\times$ 1 см$^2$) GaSb-элемента. Проведены исследования по оптимизации технологии изготовления фотопреобразователей. Показано, что полученные данные могут быть использованы для отбора исходного слиткового материала для получения фотопреобразователей с близкими характеристиками. Экспериментально показано, что для достижения максимального кпд помимо использования фотоэлементов с близкими характеристиками необходимо также обеспечивать одинаковые условия их работы (температуру, освещенность).

Поступила в редакцию: 02.03.2010
Принята в печать: 02.03.2010


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2010, 44:9, 1244–1248

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2026