Физика полупроводниковых приборов

Исследование безызлучательной рекомбинации в кремниевых светодиодах с краевой люминесценцией методом наведенного тока (EBIC)

Е. Б. Якимов^a, Н. А. Соболев<sup>b

a</sup> Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов РАН, 142432 Черноголовка, Россия
^b Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург

Аннотация: Кремниевые светодиодные структуры с краевой люминесценцией исследованы методом наведенного тока. Структуры были изготовлены методом ионной имплантации и отличались температурой заключительной стадии постимплантационного отжига (950 и 1000$^\circ$C). Увеличение температуры отжига сопровождается увеличением диффузионной длины неосновных носителей заряда в области светодиода, где и имеет место краевая люминесценция, от 1–2 до 25–35 мкм и уменьшением неоднородности распределения центров безызлучательной рекомбинации в этой области в латеральном направлении, параллельном плоскости $p$–$n$-перехода, что и приводит к наблюдавшемуся существенному росту интенсивности краевой люминесценции.

Поступила в редакцию: 08.02.2010
Принята в печать: 16.02.2010

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2010, 44:9, 1241–1243

Реферативные базы данных:

•