Эта публикация цитируется в 6 статьях

Низкоразмерные системы

Резонансная брэгговская структура (AlGaAs/GaAs/AlGaAs)$_{60}$ на основе второго уровня размерного квантования экситонов с тяжелыми дырками в квантовых ямах

В. В. Чалдышев, Д. Е. Шолохов, А. П. Васильев

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург

Аннотация: Проведены исследования спектров фотолюминесценции и оптического отражения от периодической структуры, содержащей 60 квантовых ям GaAs, разделенных туннельно-непрозрачными барьерами AlGaAs. Особенность структуры состояла в том, что при определенном угле падения света ($\sim$23$^\circ$) брэгговское условие резонансного отражения света выполнялось для энергий фотонов, равных энергии экситонов, образованных электронами с тяжелыми дырками на втором уровне размерного квантования в квантовых ямах. Экспериментально установлено, что в условиях двойного экситон-поляритонного и брэгговского резонанса происходит формирование суперизлучательной оптической моды. Изучены зависимости брэгговского и экситон-поляритонного отражения от угла падения света, поляризации и температуры.

Поступила в редакцию: 22.03.2010
Принята в печать: 30.03.2010

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2010, 44:9, 1222–1226

Реферативные базы данных:

•