Эта публикация цитируется в 7 статьях

Полупроводниковые структуры, границы раздела и поверхность

Электрофизические характеристики тонкопленочных структур, созданных импульсным лазерным осаждением металлов Au, Ag, Cu, Pd, Pt, W, Zr на кристалл $n$-6H-SiC

Р. И. Романов, В. В. Зуев, В. Ю. Фоминский, М. В. Демин, В. В. Григорьев

Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ", г. Москва

Аннотация: Импульсным лазерным осаждением металлических пленок Au, Ag, Cu, Pd, Pt, W, Zr на кристалл $n$-6H-SiC без предварительного приготовления эпитаксиального слоя созданы структуры, обладающие диодными характеристиками с коэффициентом идеальности, лежащим в интервале 1.28–2.14, и высотой потенциальных барьеров от 0.58 до 0.62 эВ со стороны полупроводника. При осаждении лазерно-инициированного потока атомов на границе металл–полупроводник формировалась большая концентрация поверхностных акцепторных и донорных состояний, что нарушало корреляцию между высотой потенциальных барьеров и работой выхода металлов. Значения высоты барьеров, определенные из значений характерных токов и емкостных измерений, достаточно хорошо совпадали. Определены размеры областей обеднения основными носителями (электронами), которые для используемого низкоомного полупроводника и использованных элементов контактов составили 26–60 нм.

Поступила в редакцию: 16.02.2010
Принята в печать: 24.02.2010

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2010, 44:9, 1192–1198

Реферативные базы данных:

•