Е. Ф. Венгер, С. И. Кириллова, Н. Е. Корсунская, Т. Р. Стара, Л. Ю. Хоменкова, А. В. Саченко, Y. Goldstein, E. Savir, J. Jedrzejewski, “Исследование границы раздела слой–подложка в структурах Si–SiO$_2$–$p$-Si с кремниевыми квантовыми точками методом температурных зависимостей фотоэдс”, Физика и техника полупроводников, 2010, том 44, выпуск 9,страницы 1224

Полупроводниковые структуры, границы раздела и поверхность

Исследование границы раздела слой–подложка в структурах Si–SiO$_2$–$p$-Si с кремниевыми квантовыми точками методом температурных зависимостей фотоэдс

Е. Ф. Венгер^a, С. И. Кириллова^a, Н. Е. Корсунская^a, Т. Р. Стара^a, Л. Ю. Хоменкова^a, А. В. Саченко^a, Y. Goldstein^b, E. Savir^b, J. Jedrzejewski^b

^a Институт физики полупроводников им. В. Е. Лашкарева НАН Украины, г. Киев
^b Racah Institute of Physics, Hebrew University, 91904 Jerusalem, Israel

Аннотация: Методом температурных зависимостей конденсаторной фотоэдс исследованы слои, полученные магнетронным напылением Si и SiO$_2$ на кремниевую подложку $p$-типа и содержащие кремниевые нанокристаллы в оксидной матрице. Изучено влияние на характеристики границы раздела слой-подложка ориентации подложки, а также естественного окисления слоя, предшествующего высокотемпературному отжигу, приводящему к образованию нанокристаллов Si в матрице SiO$_2$. Оценена плотность быстрых граничных состояний, захватывающих основные носители. Установлено, что в случае подложки с ориентацией (111) на границе раздела слой-подложка имеют место структурные изменения, вызванные напряжениями, возникающими при понижении температуры. Показано, что естественное окисление напыленного слоя, предшествующее высокотемпературному отжигу, вызывает рост величины заряда, встроенного в окисел.

Поступила в редакцию: 09.02.2010
Принята в печать: 24.02.2010