Полупроводниковые структуры, границы раздела и поверхность

Исследование гетероперехода $p$-Ge–$n$-GaAs при всестороннем давлении

М. М. Гаджиалиев, З. Ш. Пирмагомедов, Т. Н. Эфендиева

Институт физики им. Х. И. Амирханова ДНЦ РАН, 367003 Махачкала, Россия

Аннотация: Экспериментально исследована вольт-амперная характеристика гетероперехода $p$-Ge–$n$-GaAs при всестороннем давлении до 8 ГПа и температуре 300 K. С использованием результатов эксперимента вычислен барический коэффициент края валентной зоны германия.

Поступила в редакцию: 23.11.2009
Принята в печать: 17.02.2010

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2010, 44:9, 1185–1186

Реферативные базы данных:

•