Эта публикация цитируется в 1 статье

Полупроводниковые структуры, границы раздела и поверхность

Электрические характеристики структуры CdTe–$n$-CdHgTe, полученной в едином процессе молекулярно-лучевой эпитаксии

Ю. П. Машуков, Н. Н. Михайлов, В. В. Васильев

Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, г. Новосибирск

Аннотация: Обнаружен необычный вид вольт-фарадных характеристик структуры CdTe–CdHgTe – они имели в области инверсии характерный “горб”, высота которого многократно увеличивалась при освещении. Дополнительные измерения с использованием светового зонда, измерения вольт-амперных характеристик, а также анализ зонной диаграммы структуры показали следующее: CdTe в отличие от CdHgTe имеет $p$-тип проводимости с концентрацией акцепторов 1 $\cdot$ 10$^{16}$ см$^{-3}$; в CdHgTe на границе с CdTe имеется инверсионный слой дырок, который и является причиной появления “горба”; высота барьера для дырок на границе CdTe–Cd$_{0.43}$Hg$_{0.57}$Te оказалась равной 0.13 эВ.

Поступила в редакцию: 21.01.2010
Принята в печать: 05.02.2010

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2010, 44:9, 1180–1184

Реферативные базы данных:

•