Эта публикация цитируется в 8 статьях

Полупроводниковые структуры, границы раздела и поверхность

Пленки вырожденных собственных окислов полупроводниковых кристаллов InSe и In$_4$Se$_3$

В. Н. Катеринчук, М. З. Ковалюк

Институт проблем материаловедения им. И.Н. Францевича Национальной академии наук Украины, Черновицкое отделение, 58001 Черновцы, Украина

Аннотация: Представлены результаты исследования электрических свойств гетеропереходов окисел-$p$–InSe и окисел-$p$–In$_4$Se$_3$, в которых фронтальный слой получали путем термического окисления кристаллических подложек. Установлено, что прямые ветви вольт-амперных характеристик гетеропереходов имеют сходство с прямыми ветвями вольт-амперных характеристик диодов металл-полупроводник, в которых перенос тока осуществляется основными носителями. Поэтому электрические свойства гетеропереходов интерпретировались в предположении, что собственный окисел является вырожденным полупроводником. Для потверждения последнего предположения данные сопоставлялись с результатами исследования, проведенного на гетеропереходах ITO–GaTe, в которых пленка ITO была сформирована специально вырожденной.

Поступила в редакцию: 24.11.2009
Принята в печать: 30.11.2009

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2010, 44:9, 1176–1179

Реферативные базы данных:

•