RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2010, том 44, выпуск 9, страницы 1206–1211 (Mi phts8917)

Эта публикация цитируется в 2 статьях

Электронные и оптические свойства полупроводников

Непрямые межзонные переходы графита с большой энергией квазищели

В. В. Соболевa, Е. А. Антоновa, В. Вал. Соболевb

a Удмуртский государственный университет, г. Ижевск
b Ижевский государственный технический университет, 426069 Ижевск, Россия

Аннотация: Впервые определены комплексы фундаментальных оптических функций в области 0–40 эВ для продольных непрямых межзонных переходов графита с квазищелью до 2.6 эВ. Их структура и параметры сильно зависят от величины переданного волнового вектора электронов $\mathbf{q}$. Предложена природа их максимумов и ступенек по модели теоретических смещенных зон для четырех значений переданного волнового вектора $\mathbf{q}$ электронов в объемных характеристических потерях энергии для направления $\Gamma$$P$ зоны Бриллюэна. Расчеты выполнены на основе известных экспериментальных спектров объемных характеристических потерь энергий электронов графита в области 0–40 эВ для $|\mathbf{q}|$ = 0.00, 0.375, 0.625 и 1.00 $\mathring{\mathrm{A}}^{-1}$ с помощью пакета компьютерных программ.

Поступила в редакцию: 18.12.2009
Принята в печать: 11.03.2010


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2010, 44:9, 1170–1175

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2026