Эта публикация цитируется в 28 статьях

Электронные и оптические свойства полупроводников

Уровень локальной электронейтральности и электронные свойства GaSe под давлением

В. Н. Брудный^a, А. В. Кособуцкий^b, С. Ю. Саркисов<sup>a

a</sup> Томский государственный университет
^b Кемеровский государственный университет

Аннотация: Из первых принципов выполнены расчеты структурных параметров решетки и электронных зонных спектров GaSe. Рассмотрена их зависимость от гидростатического сжатия до 5 ГПа и однородного двухосного напряжения растяжения и сжатия (от -3 до 3 ГПа) в базальной плоскости элементарной ячейки. Расчеты хорошо воспроизводят известные из эксперимента особенности поведения важнейших межзонных переходов в GaSe под гидростатическим давлением и в отсутствие экспериментальных данных дают прогноз зависимости структурных и электронных свойств GaSe при приложении двухосного напряжения. На основе вычисленных зонных спектров определено энергетическое положение уровня локальной зарядовой нейтральности CNL $E_v$ +0.8 эВ, проанализированы электронные свойства ростового материала и энергетические диаграммы межфазных границ в GaSe.

Поступила в редакцию: 15.02.2010
Принята в печать: 03.03.2010

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2010, 44:9, 1158–1166

Реферативные базы данных:

•