Электронные и оптические свойства полупроводников

Влияние дефектов, образованных быстрыми реакторными нейтронами, на экситонные спектры люминесценции монокристаллов сульфида кадмия

Г. Е. Давидюк^a, Н. С. Богданюк^a, В. В. Божко^a, А. Г. Кевшин^a, В. С. Манжара^b, В. Кажукаускас<sup>c

a</sup> Волынский национальный университет им. Леси Украинки, г. Луцк
^b Институт физики НАН Украины, г. Киев
^c Институт прикладных исследований, Вильнюсский университет (факультет физики полупроводников), 10222 Вильнюс, Литва

Аннотация: Изучалось влияние кластеров дефектов, образованных нейтронной радиацией в CdS-монокристаллах, на параметры спектров экситонной фотолюминесценции при $T\approx$ 4.2 K. Экспериментально установлено, что облучение образцов быстрыми реакторными нейтронами с энергией частиц $E\approx$ 1 МэВ и дозой $\Phi$ = 3 $\cdot$ 10$^{18}$ см$^{-2}$ ведет к уменьшению в $\sim$50 раз интенсивности линий экситонной фотолюминесценции $I_1$ ($\lambda_m$ = 488.7 нм), $I_2$ ($\lambda_m$ = 486.9 нм), $I_3$ ($\lambda_m$ = 486.3 нм) с перераспределением излучения в пользу линий $I_1$ и $I_3$, к увеличению их полуширины от 2 до 5–6 $\mathring{\mathrm{A}}$ без изменения положения максимумов в спектре излучения.
Наблюдаемые экспериментальные факты объяснены на основании модели двухфазной системы, состоящей из малоповрежденной области CdS-монокристалла, в которую вкраплены кластеры дефектов (образованные нейтронной радиацией), представляющие собой наноразмерные зерна с сильно разупорядоченной структурой.

Поступила в редакцию: 15.02.2010
Принята в печать: 24.02.2010

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2010, 44:9, 1153–1157

Реферативные базы данных:

•