Электронные и оптические свойства полупроводников

Закон дисперсии и механизм рассеяния носителей заряда в $p$-In$_{0.5}$Ga$_{0.5}$Sb, легированных Zn

С. А. Зейналов, Ф. Ф. Алиев, С. З. Дамирова, Б. А. Таиров

Институт физики НАН Азербайджана, Az-1143 Баку, Азербайджан

Аннотация: Исследованы температурные зависимости электропроводности, коэффициента Холла, термоэдс твердых растворов эквимолярного состава In$_{0.5}$Ga$_{0.5}$Sb, легированных Zn. Определены концентрационная и температурная зависимости эффективной массы дырок. Установлено, что дисперсия дырок в In$_{0.5}$Ga$_{0.5}$Sb подчиняется квадратичному закону. Показано, что во всех легированных образцах при температурах $T<$ 200 K носители заряда рассеиваются на ионах примеси, а при $T>$ 200 K значительный вклад вносит и рассеяние на колебаниях решетки.

Поступила в редакцию: 13.01.2010
Принята в печать: 17.02.2010

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2010, 44:9, 1149–1152

Реферативные базы данных:

•