Эта публикация цитируется в 17 статьях

Электронные и оптические свойства полупроводников

Отрицательное магнитосопротивление в кремнии с комплексами атомов марганца [Mn]$_4$

М. К. Бахадырханов, К. С. Аюпов, Г. Х. Мавлонов, С. Б. Исамов

Ташкентский государственный технический университет, 100095 Ташкент, Узбекистан

Аннотация: Экспериментально показано, что в кремнии с комплексами атомов марганца [Mn]$_4$ при комнатной температуре наблюдается аномально большое значение отрицательного магнитосопротивления. Установлено, что отрицательное магнитосопротивление имеет максимальное значение при $T$ = 230–240 K, а с понижением температуры его значение уменьшается, и при $T<$ 170 K происходит инверсия знака магнитосопротивления, т. е. наблюдается положительное магнитосопротивление. Установлено, что на значения отрицательного магнитосопротивления и их зависимость от температуры существенно влияет интенсивность как интегрального, так и монохроматического света.

Поступила в редакцию: 13.02.2010
Принята в печать: 17.02.2010

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2010, 44:9, 1145–1148

Реферативные базы данных:

•