Эта публикация цитируется в 4 статьях

Электронные и оптические свойства полупроводников

Дислокационная электрическая проводимость пластически деформированных природных алмазов

С. Н. Самсоненко, Н. Д. Самсоненко, В. И. Тимченко

Донбасская национальная академия строительства и архитектуры, 86123 Макеевка

Аннотация: Приведены результаты изучения температурной зависимости электропроводности природных полупроводниковых алмазов типа Ic. Определены энергии активации дислокационных акцепторных центров $\varepsilon_3$ = 0.29–0.36 эВ, связанных с пластической деформацией. Для доказательства появления уровней с энергией активации $\varepsilon_3$ в полупроводниковых алмазах была проведена пластическая деформация четырех природных алмазов типа IIa с удельным сопротивлением 10$^{15}$–10$^{16}$ Ом $\cdot$ см. В результате деформации удельное сопротивление уменьшилось примерно на один-два порядка, и появился новый уровень с энергией $\varepsilon_3$ = 0.29 эВ, характерный для полупроводниковых алмазов. Мы полагаем, что деформация производит дислокационные центры не только в алмазах типа Ic, но и в природных полупроводниковых алмазах типа IIb.

Поступила в редакцию: 17.02.2009
Принята в печать: 17.02.2010

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2010, 44:9, 1140–1144

Реферативные базы данных:

•