Эта публикация цитируется в 8 статьях

Электронные и оптические свойства полупроводников

Дифференциальный метод анализа спектров люминесценции полупроводников

А. М. Емельянов

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург

Аннотация: Предложен метод анализа спектров люминесценции полупроводников, основанный на дифференцировании спектров. Возможности метода продемонстрированы в области края поглощения монокристаллов кремния и твердого раствора SiGe. Метод превосходит по точности ранее известные люминесцентные методы определения ширины запрещенной зоны для непрямозонных полупроводников и практически нечувствителен к различным условиям вывода излучения из образца.

Поступила в редакцию: 08.02.2010
Принята в печать: 16.02.2010

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2010, 44:9, 1134–1139

Реферативные базы данных:

•