Эта публикация цитируется в 8 статьях

Электронные и оптические свойства полупроводников

Субтерагерцовые автоколебания обеднения заселенностей электронов в зоне проводимости GaAs при наличии накачки и собственного стимулированного излучения

Н. Н. Агеева, И. Л. Броневой, Д. Н. Забегаев, А. Н. Кривоносов

Институт радиотехники и электроники им. В. А. Котельникова РАН, Москва

Аннотация: Ранее обнаружено, что при пикосекундной оптической накачке в GaAs возникают сверхбыстрые взаимосвязанные автомодуляции фундаментального поглощения света и собственного стимулированного пикосекундного излучения. В настоящей работе сделаны количественные оценки, подтверждающие предположение, что указанные автомодуляции вызваны автоколебаниями обеднения заселенностей электронов в зоне проводимости. Получено выражение для частоты автоколебаний обеднения заселенностей. Показано наличие условий для самоорганизации, которые приводят к возникновению периодических нелинейных волн в неравновесных средах, каковой является фотогенерированная электроно-дырочная плазма с обеднениями заселенностей. В итоге в цикле работ, включая и настоящую, обнаружено, что при накачке в GaAs под влиянием собственного стимулированного излучения возникает коллективное возбуждение носителей заряда – автоколебания обеднения заселенностей зоны проводимости.

Поступила в редакцию: 30.12.2009
Принята в печать: 18.01.2010

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2010, 44:9, 1121–1128

Реферативные базы данных:

•