Эта публикация цитируется в 1 статье

Атомная структура и неэлектронные свойства полупроводников

Анализ фазовых диаграмм системы CdS–CdSe–CdTe

В. А. Кузнецов

Саратовский государственный аграрный университет имени Н. И. Вавилова, 410600 Саратов, Россия

Аннотация: На основе анализа энергетических диаграмм полупроводниковых соединений A$^{\mathrm{II}}$B$^{\mathrm{VI}}$ предложены методика определения глубины провисания запрещенной зоны и механизм этого эффекта, связанный с деформационным потенциалом, который может возникать в области существования смешанных сингоний твердых растворов. Подбирая состав двойной или тройной системы, за счет эффекта провисания зоны можно увеличить фоточувствительность в заданной области спектра.

Поступила в редакцию: 28.12.2009
Принята в печать: 26.01.2010

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2010, 44:9, 1117–1120

Реферативные базы данных:

•