RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2010, том 44, выпуск 8, страницы 1147–1150 (Mi phts8906)

Эта публикация цитируется в 1 статье

Изготовление, обработка, тестирование материалов и структур

Свойства нитевидных кристаллов ZnO, полученных под действием излучения CO$_2$-лазера

П. С. Шкумбатюк

Дрогобычский государственный педагогический университет им. И. Франко

Аннотация: Методом непрерывного действия CO$_2$-лазерного излучения получены монокристаллические нити ZnO в виде игл длиной 0.3–0.8 мм, диаметром 1–10 мкм, с удельным сопротивлением 3 $\cdot$ 10$^2$–1 Ом $\cdot$ см. В нитях наблюдали слабую электролюминесценцию, обусловленную инжекцией из контактов, с участием собственных дефектов, влияющих на распределение электрического поля.

Поступила в редакцию: 15.09.2009
Принята в печать: 25.01.2010


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2010, 44:8, 113–116

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2026