П. В. Середин, А. В. Глотов, Э. П. Домашевская, И. Н. Арсентьев, Д. А. Винокуров, А. Л. Станкевич, И. С. Тарасов, “Релаксация параметров кристаллической решетки и структурное упорядочение в эпитаксиальных твердых растворах In$_x$Ga$_{1-x}$As”, Физика и техника полупроводников, 2010, том 44, выпуск 8,страницы 1140

Эта публикация цитируется в 8 статьях

Изготовление, обработка, тестирование материалов и структур

Релаксация параметров кристаллической решетки и структурное упорядочение в эпитаксиальных твердых растворах In$_x$Ga$_{1-x}$As

П. В. Середин^a, А. В. Глотов^a, Э. П. Домашевская^a, И. Н. Арсентьев^b, Д. А. Винокуров^b, А. Л. Станкевич, И. С. Тарасов^b

^a Воронежский государственный университет
^b Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург

Аннотация: Методами рентгеновской дифракции и сканирующей электронной микроскопии исследованы эпитаксиальные гетероструктуры In$_x$Ga$_{1-x}$As/GaAs(100), выращенные МОС-гидридным методом, со значительно рассогласованными параметрами решетки. Рассчитан коэффициент релаксации кристаллической решетки эпитаксиального твердого раствора, и оценена энергия деформации. Показано, что при концентрациях атомов In в металлической подрешетке, близких к $x$ = 0.5, сверхструктурная фаза, образовавшаяся на поверхности эпитаксиального твердого раствора In$_x$Ga$_{1-x}$As, представляет собой соединение InGaAs$_2$ со слоисто-тетрагональной (layered thetragonal) кристаллической решеткой и упорядоченным расположением атомов металлической подрешетки в плоскости роста эпитаксиальной пленки.

Поступила в редакцию: 15.12.2009
Принята в печать: 21.12.2009