Эта публикация цитируется в 1 статье

Изготовление, обработка, тестирование материалов и структур

Структурные и электрические свойства подложек SiGe-на-изоляторе, сформированных методом прямого сращивания

И. В. Грехов^a, Л. С. Костина^a, Т. С. Аргунова^ab, Е. И. Белякова^a, А. В. Рожков^a, Н. М. Шмидт^a, Ш. А. Юсупова^a, J. H. Je<sup>b

a</sup> Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
^b Pohang University of Science and Technology, Pohang, 790-784, Republic of Korea

Аннотация: Предложен новый способ изготовления подложек SiGe-на-изоляторе – прямое сращивание термически окисленных пластин Si с пластинами Si$_{1-x}$Ge$_x$ из кристаллов, выращенных методом Чохральского. Формирование слоев Si$_{1-x}$Ge$_x$ толщиной не более 10 мкм в композициях SiGe/SiO$_2$/Si осуществлялось химико-механической полировкой. Для увеличения содержания Ge в слое Si$_{1-x}$Ge$_x$ использовалось термическое окисление. Показано, что увеличение концентрации Ge и процедура термообработок при 1250$^\circ$C не сопровождаются ухудшением структурных и электрических характеристик слоев Si$_{1-x}$Ge$_x$.

Поступила в редакцию: 02.02.2010
Принята в печать: 12.02.2010

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2010, 44:8, 1101–1105

Реферативные базы данных:

•